Samsung rafforza la produzione della sua linea di memorie per autoveicoli per infotainment avanzato e sistemi di guida autonoma con SSD ad alte prestazioni, DRAM grafica, DDR4 DRAM e prodotti UFS
Offrendo prestazioni e capacità di classe server, le nuove soluzioni di memoria supportano l’elaborazione complessa di applicazioni multimediali e dati di guida autonoma
Samsung Electronics, leader mondiale nella tecnologia di memoria avanzata, ha presentato oggi un’ampia gamma di soluzioni di memoria automobilistiche all’avanguardia progettate per i veicoli elettrici autonomi di nuova generazione.
La nuova gamma include un SSD PCIe Gen3 NVMe ball grid array (BGA) da 256 gigabyte (GB),
2 GB GDDR6 DRAM e 2 GB DDR4 DRAM per sistemi di infotainment ad alte prestazioni,
oltre a 2 GB GDDR6 DRAM e 128 GB Universal Flash Storage (UFS) per i sistemi di guida autonoma.
“Con la recente proliferazione di veicoli elettrici e il rapido progresso dei sistemi di infotainment e guida autonoma, la piattaforma automobilistica a semiconduttori sta affrontando un cambiamento di paradigma. Quello che un tempo era un ciclo di sostituzione di sette-otto anni viene ora compresso in un ciclo di tre o quattro anni e, allo stesso tempo, i requisiti di prestazioni e capacità stanno avanzando ai livelli che si trovano comunemente nei server”,
ha affermato Jinman Han, Executive Vice President e Head of Memory Global Sales & Marketing presso Samsung Electronics.
“La gamma rafforzata di soluzioni di memoria di Samsung fungerà da importante catalizzatore nell’ulteriore accelerazione del passaggio verso l’era ‘Server on Wheels’.”
Funzionalità avanzate nei sistemi di infotainment come mappe ad alta definizione, streaming video e giochi 3D, insieme al crescente utilizzo di sistemi di guida autonoma, hanno guidato la domanda di SSD ad alta capacità e ad alte prestazioni e DRAM grafica in tutta l’industria automobilistica.
Nel 2017, Samsung è stata la prima nel settore a produrre soluzioni UFS per applicazioni automobilistiche.
Oggi, l’azienda è ben posizionata per fornire una soluzione di memoria totale con il nuovo SSD automobilistico e la DRAM GDDR6.
Il controller e il firmware dell’SSD BGA da 256 GB di Samsung sono sviluppati
internamente per prestazioni ottimizzate, offrendo una velocità di lettura sequenziale
di 2.100 megabyte al secondo (MB/s) e una velocità di scrittura sequenziale
di 300 MB/s, sette e due volte più veloce di quella odierna eMMC, rispettivamente.
Inoltre, la DRAM GDDR6 da 2 GB offre una velocità di trasmissione dati fino a 14 gigabit al secondo (Gbps) per pin.
Tali velocità e larghezza di banda eccezionali supporteranno l’elaborazione complessa
di varie applicazioni multimediali e grandi quantità di dati di guida autonoma,
contribuendo a un’esperienza di guida più sicura, dinamica e conveniente.
Inoltre, le nuove soluzioni automobilistiche di Samsung soddisfano la qualifica AEC-Q100, lo standard globale di affidabilità automobilistica, che consente loro di operare stabilmente a temperature estreme che vanno da -40°C a +105°C, requisito particolarmente cruciale per i semiconduttori automobilistici.
Avendo già completato le valutazioni dei clienti, i nuovi prodotti Samsung di memoria per autoveicoli sono attualmente in produzione in serie.
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