L’imminente processo di litografia di classe 3nm di Samsung sarà il primo a utilizzare la tecnologia a transistor GAA (gate-all-around).
Di fronte alle preoccupazioni sollevate sul fatto che la società realizzerà i progetti GAA in tempo per stare al passo con il concorrente TSMC, insiste sul fatto che la sua prima iterazione della tecnologia inizierà la produzione di massa nel 2022.
La roadmap pubblica di Samsung è stata presentata di recente al Foundry Forum 2021 in Cina.
Particolarmente evidente nella sua assenza dalla diapositiva mostrata, tuttavia, è stato il 3GAE (3 nm, GAA-Early) di Samsung, la prima iterazione della loro tecnologia a 3 nm.
3GAE è stato originariamente rivelato nel 2019 insieme al suo seguito, 3GAP (3nm, GAA-Plus), ma solo quest’ultimo è stato mostrato nella presentazione.
Prima che questa roadmap venisse rivelata, c’era già stata preoccupazione per la salute del nodo; 3GAE era stato originariamente pianificato per la produzione a rischio alla fine del 2020 e la produzione in volume nel 2021, ma la società ha registrato i suoi primi chip di test a 3 nm solo il mese scorso.
Inoltre, il Dr. Chidi Chidambaram, VP of Engineering presso Qualcomm, il più grande cliente di terze parti di Samsung Foundry, è stato citato da SemiAnalysis come una stima della tecnologia GAA che raggiungerà la produzione solo nel 2023-24, in occasione di un recente evento ospitato da Applied Materials.
Anche se la stima è probabilmente intenzionalmente vaga per motivi NDA, lascia comunque Samsung un anno indietro rispetto ai piani di TSMC per la produzione di volumi di silicio di classe 3nm il prossimo anno.
Questo, combinato con l’assenza di 3GAE sulla roadmap pubblicata, ha portato alla speculazione che il nodo fosse stato completamente saltato a favore di 3GAP.
Quando è stata contattata per un commento, la società ha affermato che la produzione di massa
di 3GAE era ancora prevista nel 2022 ed è possibile che il nodo non venga pubblicizzato
semplicemente perché è riservato all’uso interno di Samsung LSI.
Tuttavia, mentre in passato ciò veniva fatto con altre varianti di processo “-Early” dell’azienda, queste erano ancora contrassegnate sulla mappa; 5LPE ha visto l’utilizzo di terze parti nello Snapdragon 888 di Qualcomm, ma quel nodo era a sua volta derivato da 7LPP.
L’azienda sta anche lanciando un 4LPP, basato sulla tecnologia FinFET più tradizionale. Questo (e il suo predecessore 4LPE) sono ora elencati come la propria famiglia di nodi, invece di essere un’evoluzione dalle tecnologie di classe 5nm/7nm.
Può essere che il processo abbia un miglioramento abbastanza sostanziale da giustificare
il marketing come un nuovo nodo “titolo” o semplicemente a causa di differenze
più significative nella progettazione e nella produzione.
Tuttavia, l’assenza di 3GAE sulla roadmap pubblica e il nodo 4LPP basato su FinFET che si sovrappone all’obiettivo dichiarato di Samsung per il 2022 per 3GAE fa paragoni scomodi con Cannon Lake, i primi processori Intel a 10 nm.
Quelli tecnicamente spediti nel 2018 per soddisfare gli impegni degli investitori, ma sono stati scartati a favore di ulteriori evoluzioni del vecchio nodo a 14 nm; la società ora ignora completamente quella generazione, insistendo sul fatto che Ice Lake sia stata la sua prima vera line-up a 10 nm.
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