Samsung ha dichiarato giovedì di aver avviato la produzione di massa della sua DRAM a doppia velocità DDR5 realizzata con un nodo di processo a 12 nm. Il gigante della tecnologia ha annunciato lo sviluppo della DRAM DDR5 da 16 Gb nel dicembre dello scorso anno.
L’inizio della produzione di massa della DRAM a 12 nm, che la rende la più avanzata tra le DRAM disponibili, in un momento in cui l’industria dei chip di memoria sta attraversando una fase di recessione, dimostra che Samsung, il più grande produttore di chip di memoria al mondo, intende mantenere la sua leadership nel settore e non solo.
Secondo Samsung, il nuovo chip, rispetto alla generazione precedente, ha un consumo energetico ridotto del 23% mentre la produttività del suo wafer è aumentata del 20%, il che significa che è possibile produrre il 20% in più di chip da un singolo wafer poiché il chip è più piccolo di la generazione precedente.
Il gigante della tecnologia ha affermato che il ridotto consumo energetico della DRAM DDR5 da 16 Gb consentirà agli operatori di server e data center di ridurre il consumo energetico.
Il chip ha anche una velocità massima di 7,2 Gbps, il che significa che può elaborare 60 GB in circa un secondo ed è rivolto a data center, intelligenza artificiale e nuove applicazioni informatiche.
Il nodo a 12 nm è stato raggiunto grazie all’utilizzo da parte di Samsung di un nuovo materiale high-k che consente al chip di distinguere accuratamente le differenze nei segnali di dati.
La compatibilità della DRAM con AMD è già stata verificata a dicembre e Samsung ha affermato che al momento sta collaborando con più aziende IT globali.
Samsung sta affermando il proprio dominio sui chip di memoria attraverso il lancio in mezzo alla recessione nel mercato dei chip.
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