Samsung ha dichiarato martedì di aver sviluppato una DRAM a doppia velocità DDR5 realizzata con un nodo di processo di classe a 12 nanometri (nm).
Secondo il colosso tecnologico sudcoreano samsung, la DRAM DDR5 da 12 nm a 16 Gb è stata verificata con il produttore di CPU AMD, con l’inizio della produzione di massa previsto per il prossimo anno.
Ciò che è insolito nell’annuncio di Samsung è che ha fornito un valore numerico specifico del nodo di processo utilizzato in questo caso “12”.
I produttori di chip di memoria, che includono SK Hynix e Micron, avevano utilizzato principalmente il termine “classe 10 nm” o il proprio gergo per i loro nodi di processo di dimensioni comprese tra 10 e 19 nm senza specificare effettivamente il valore numerico della seconda cifra.
L’ultima DRAM di Samsung, per usare il termine usato in precedenza, è realizzata con il suo nodo di processo di classe 10nm di quinta generazione. Probabilmente questa volta il gigante della tecnologia utilizzerà la classe a 12 nm per pubblicizzare quanto sia avanzata rispetto alla classe a 10 nm dei rivali.
Tuttavia, le dimensioni e la densità effettive dei transistor tra i chip realizzati da aziende diverse,
sono difficili da conoscere senza test e possono differire notevolmente tra loro.
Tuttavia, il cambio di terminologia da parte di Samsung, il più grande produttore di chip di memoria al mondo, potrebbe indicare che intende promuovere in modo aggressivo come i suoi prodotti premium siano superiori ai concorrenti il prossimo anno, poiché l’inflazione globale ha causato una flessione nel mercato delle memorie, uno spazio già competitivo.
Sulla sua DRAM DDR5 da 16 Gb di classe 12nm, Samsung ha affermato di aver applicato un nuovo materiale high-k per aumentare il volume del condensatore e ha applicato nuovi design per completare il nuovo nodo di processo. Il gigante della tecnologia ha affermato di aver applicato anche la litografia ultravioletta estrema (EUV) per ottenere la densità “più alta del settore”.
La produttività è aumentata del 20% rispetto alla precedente generazione di DRAM,
il che significa che è possibile produrne di più per wafer.
Il chip vanta una velocità massima di 7,2 Gbps, il che significa che può elaborare 60 GB di dati al secondo. Il consumo energetico è stato migliorato del 23% rispetto al suo predecessore.
Samsung prevede di lanciare più prodotti nella sua gamma DRAM di classe 12nm per applicazioni in data center, intelligenza artificiale e elaborazione ad alte prestazioni.
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